Theoretical study on the influence of metal ions doped-CuO thin films for efficient electrochemical glucose sensor

Abstract

Copper oxide is one of the most important semiconductors in modern technological and scientific applications.it has received great attention for its wide use in many applications such as chemical sensors, catalysts and other technological applications. Copper oxide CuO has a low band gap varied between 1.2 eV and 1.9 eV, and is also characterized by its unique and specific properties which allowed us to use it as an electrode in glucose sensors. In this work and according to the results obtained, the nanostructures of copper oxide in the form of the petals are characterized by an extremely high sensitivity, a selectivity in glucose and a good stability. The best results showed a high sensitivity of 7546.37 μA/mM×cm2 with a low detection limit of 0.25 μM.L'oxyde de cuivre est l'un des semi-conducteurs les plus importants dans les applications technologiques et scientifiques modernes.il a reçu une grande attention pour sa large utilisation dans de nombreuses applications telles que les capteurs chimiques, les catalyseurs et d'autres applications technologiques. L'oxyde de cuivre CuO possède une faible band interdire comprise entre 1,2 eV et 1,9 eV, et également se caractérise par ses propriétés uniques et spécifiques ce qui nous a permis de l'utiliser en tant que électrode aux capteurs de glucose. Dans ce travail et selon les résultats obtenus, les nanostructures de l'oxyde de cuivre sous forme des pétales sont caractérisées par une sensibilité extrêmement élevée, une sélectivité en glucose une bonne stabilité. Les meilleures résultats ont montré une sensibilité élevée de 7546.37 μA/mM×cm2 avec une limite de détection faible de 0,25 µM.

يعتبر أكسيد النحاس من أهم أشباه الموصلات في التطبيقات التكنولوجية والعلمية الحديثة، وقد حظي باهتمام كبير لاستخدامه الواسع في العديد من التطبيقات مثل المستشعرات الكيميائية والمحفزات والتطبيقات التكنولوجية الأخرى. يحتوي أكسيد النحاس CuO على فجوة نطاق منخفضة تتراوح بين 1.2 فولت و1.9 فولت، ويتميز أيضًا بخصائصه الفريدة والمحددة التي سمحت لنا باستخدامه كقطب كهربائي في مستشعرات الجلوكوز. في هذا العمل ووفقًا للنتائج التي تم الحصول عليها، تتميز الهياكل النانوية لأكسيد النحاس على شكل بتلات بحساسية عالية للغاية وانتقائية في الجلوكوز واستقرار جيد. أظهرت أفضل النتائج حساسية عالية 7546.37 ميكرو اومبير/ مم × سم 2 مع حد اكتشاف منخفض قدره 0.25 ميكرومول.