تحديد خصائص الانتشار الذاتي واللاذاتي للفسفور في الجيرمانيوم

Abstract

برز الجيرمانييوم كبديل واعد لتعويض السيليسيوم لمواصلة التطور الحاصل في تكنولوجيا أنصاف النواقل. معرفة معالم انتشار المطعمات في هذا النصف ناقل يعتبر أمر ضرور لانجاز مكونات الكترونية عالية الأداء. في هذه المذكرة قمنا بدراسة انتشار الفسفور في الجيرمانيوم وذلك بنمذجة هذا الانتشار وفق الآلية الفجوية اخذين بعين الاعتبار التناسب التربيعي بين معامل الانتشار ومربع تركيز الالكترونات الحرة ومحاكاة منحنيات انتشار تجريبية للفوسفور في الجيرمانيوم. محاكاة دقيقة تحصلنا عليها أكدت هذا التناسب ومكنتنا من تحديد كيفية ارتباط كل من عامل التناسب ومعامل الانتشار الذاتي بدرجة الحرارة حيث وجدنا انا طاقة التنشيط للفسفور في الجيرمانيوم تقدر ب E=2.9eV

Le germanium est apparu comme une alternative prometteuse pour remplacer le silicium afin de poursuivre le développement de la technologie des semi-conducteurs. Connaître les paramètres de diffusion de dopants dans ce semi-conducteur est nécessaire pour réaliser des composants électroniques performants. Dans cette note, nous étudions la diffusion du phosphore dans le germanium en modélisant cette diffusion selon le mécanisme laccunaire , en tenant compte de la proportionnalité au carré entre le coefficient de diffusion et le carré de la concentration en électrons libres, et en simulant des courbes expérimentales de diffusion du phosphore dans germanium. La simulation précise que nous avons obtenue a confirmé cette proportionnalité et nous a permis de déterminer comment le facteur de proportionnalité et le coefficient d'autodiffusion sont liés à la température, où nous avons trouvé que l'énergie d'activation du phosphore dans le germanium est estimée à E=2.9eV.