CRISTALLISATION DES COUCHES MINCES DE SILICIUM AMORPHE (a-Si) PAR LE LASER EXCIMÈRE KrF

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DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	F. BOUFELGHA , A. BOUAINE , L. AOMAR	-
dc.date.accessioned	2013-12-19T15:49:22Z	-
dc.date.available	2013-12-19T15:49:22Z	-
dc.date.issued	2013-12-19	-
dc.identifier.issn	sam.	-
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/123456789/3023	-
dc.description	laser excimère, polysilicium, silicium amorphe hydrogéné	en_US
dc.description.abstract	Le recuit par laser excimère KrF des couches minces de silicium amorphe (a-Si) est utilisé pour élaborer du silicium polycristallin en films minces. Les couches (a-Si) ont été déposées par la méthode LPCVD (Low pressure Chemical Vapor Deposition) sur du quartz amorphe et recouvertes par un film mince de SiO2. Les échantillons ainsi préparés ont été irradiés par le laser excimère KrF, de densité d’énergie égale à 0,67 J/cm2, pour différentes impulsions. L’étude de la microstructure et l’état de surface ont été réalisés par le microscope électronique à balayage et par la spectroscopie micro-Raman. Les observations montrent que les impulsions laser successives entraînent des transformations microstructurales.	en_US
dc.language.iso	fr	en_US
dc.subject	CRISTALLISATION	en_US
dc.subject	COUCHES MINCES DE SILICIUM	en_US
dc.subject	LASER EXCIMÈRE KrF	en_US
dc.title	CRISTALLISATION DES COUCHES MINCES DE SILICIUM AMORPHE (a-Si) PAR LE LASER EXCIMÈRE KrF	en_US
dc.type	Article	en_US
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