Please use this identifier to cite or link to this item: https://dspace.univ-ouargla.dz/jspui/handle/123456789/30242
Title: PSpice دراسة ومحاكاة الترانزستور ثنائي القطبية سكونياً باستخدام برنامج
Authors: جريوي، محمد
الياس،الزهرة
حنكة، نصيرة
Keywords: Semi-conductors
diode
transistor BJT
émetteur
Collecteur
Base
Issue Date: 2022
Publisher: جامعة قاصدي مرباح ورقلة
Abstract: Le travail présenté dans cet article vise à simuler le transistor bipolaire NPN à l'aide du programme PSpice et à dessiner son réseau de données caractéristique et l'exploiter dans le calcul des facteurs hybrides h et l'effet de la température sur les caractéristiques. Enfin, nous avons pu étudier le traitement scientifique de l'effet de la température en calculant la résistance thermique de la plaque de refroidissement. Pour accomplir ce travail, nous avons considéré un ensemble de critères, le facteur d'amplification du transistor β et les limites du travail du transistor, et la valeur de la température de refroidissement ne dépasse pas (185 ° C).
إن العمل المقدم في هذا البحث الهدف منه محاكاة الترانزستور ثنائي القطبية من النوع NPN باستعمال برنامج PSpice ورسم شبكة بياناته المميزة واستغلالها في حساب العوامل الهجينة h وتأثير درجة الحرارة على المميزات وفي الأخير تمكنا من دراسة المعالجة العلمية لتأثير درجة الحرارة من خلال حساب المقاومة الحرارية للمبرد. ولإنجاز هذا العمل اعتبرنا مجموعة من المعايير معامل تكبير الترانزستور β وحدود عمل الترانزستور، وقيمة درجة حرارة التبريد لا تتعدى °C)185).
Description: فيزياء طاقوية والطاقات المتجددة
URI: https://dspace.univ-ouargla.dz/jspui/handle/123456789/30242
Appears in Collections:département de physique - Master

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
ilias-hanka.pdf1,46 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.