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https://dspace.univ-ouargla.dz/jspui/handle/123456789/3555
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DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | W. Bachir Bouiadjra, A. Saidane, M.Henini, M.Shafi | - |
dc.date.accessioned | 2013-12-22T10:39:44Z | - |
dc.date.available | 2013-12-22T10:39:44Z | - |
dc.date.issued | 2013-12-22 | - |
dc.identifier.issn | waf | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/3555 | - |
dc.description | The INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRONICS & OIL: FROM THEORY TO APPLICATIONS March 05-06, 2013, Ouargla, Algeria | en_US |
dc.description.abstract | L’incorporation de quelques pourcents d’Azote (N) dans du GaAs réduit significativement sa largeur de bande interdite. Cette réduction est utile dans l’engineering des lasers à semi-conducteurs ayant une longueur d’onde bien déterminée, dans l’engineering des cellules solaires pour augmenter leur rendement et influe sur le fonctionnement des diodes Schottky à très haute fréquence. Cependant, cette incorporation d’azote est une opération délicate qui introduit des défauts dans la structure et par conséquent peut réduire à néant ces avantages. Dans cette communication, nous examinons les caractéristiques électriques expérimentales I-V et C-V des diodes Schottky à base de GaNAs avec 0,2% d’azote dilué et ayant subies des recuits à 500°C et 700°C. Les résultats obtenus montrent l’influence de la concentration des états d’interface sur le mécanisme de transport de la diode et l’influence de la température de recuit. | en_US |
dc.language.iso | fr | en_US |
dc.subject | diode Schottky | en_US |
dc.subject | temperature de recuit | en_US |
dc.subject | GaAsN | en_US |
dc.title | Influence de la température de recuit sur les caractéristiques électriques d’une diode Schottky GaNAs avec 0,2% d’azote dilué | en_US |
dc.type | Article | en_US |
Appears in Collections: | 3. Faculté des sciences appliquées |
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