Contribution à l’étude des plasmas lors de déposition sur couches minces par procédés CVD

Abstract

Afin d’étudier la déposition d’une couche mince a-SiH par le procédé PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), nous avons proposé un modèle numérique pour le calcul des profils des vitesses et des concentrations du plasma utilisé. Ce plasma était un mélange de Silane dilué dans l’Hydrogène. Nous nous sommes intéressé au phénomène de transfert de masse lors de diffusion ainsi qu’aux réactions d’équilibre chimiques effectuées à la surface du substrat. Nous avons résolu les équations différentielles de Navier Stockes, de continuité et de diffusion par la méthode de différence finis et l’algorithme itérative de Gaus-Seidel. Nous avons comparé nos résultats avec les résultats expérimentaux de Layeillon et ses collaborateurs. Nous avons trouvé qu’il a une production de H ; cette valeur est très proche du résultat expérimental. La vitesse de déposition calculée (27.8A/mn) est très proche du résultat expérimental (26A/mn).