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https://dspace.univ-ouargla.dz/jspui/handle/123456789/8576
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | HENNA, Hichem | - |
dc.contributor.author | ZOUAOUID, Nassima | - |
dc.date.accessioned | 2015-05-05T10:09:47Z | - |
dc.date.available | 2015-05-05T10:09:47Z | - |
dc.date.issued | 2015-05-05 | - |
dc.identifier.issn | YA | - |
dc.identifier.uri | http://dspace.univ-ouargla.dz/jspui/handle/123456789/8576 | - |
dc.description | Département d’Electronique et Télécommunications Université Kasdi Merbah Ouargla | en_US |
dc.description.abstract | Dans un contemporain où les technologies de fabrication de composants électroniques à base de semi-conducteurs devient plus en plus sophistiquées afin de minimiser l’espace alloué aux ces composants, le besoin des techniques pour analyser ces solides devient important à son tour, parmi les techniques utilisées par les spécialistes et les chercheurs on trouve la spectrométrie des masse des ions secondaires (SIMS : Secondary Ion Mass Spectrometry).Cette technique s’améliore avec le temps par l’avancement dans les technologies des appareils d’analyse SIMS d’une part, et l’introduction des nouvelles approches analytiques pour l’interprétation des résultats expérimentaux obtenus par ces appareils d’autre part, [1], [2]. Notre travail est concentré sur l’aspect de modélisation des mesures expérimentales afin d’identifier la réponse impulsionnelle qui traduit la réaction de la caractérisation ionique dans le cas par exemple d’un delta-dopage du Bore dans une matrice de Silicium, | en_US |
dc.language.iso | fr | en_US |
dc.relation.ispartofseries | 2015; | - |
dc.subject | DRF | en_US |
dc.subject | SIMS | en_US |
dc.subject | SRIM | en_US |
dc.subject | MRI | en_US |
dc.subject | pulvérisation | en_US |
dc.title | IDENTIFICATION EXPÉRIMENTALE ET MODÉLISATION DE LA RÉPONSE IMPULSIONNELLE D’UN SYSTÈME D’ANALYSE SIMS | en_US |
dc.type | Article | en_US |
Appears in Collections: | Département des télécommunications et contrôle Mastériales |
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