Calcul par la méthode de Monte Carlo des probabilités de la réactivité à la surface lors de la déposition d’une couche mince a-Si:H par le procédé PECVD

Abstract

من أجل توضع طبقة رقيقة من a–Si : H بواسطة التوضع الكيميائي المدعم بالبلازما PECVD, اقترحنا حسابا عدديا بلغة الفورتران, وباستعمال محاكاة مونتي كارلو وكمون (3-9) لحساب قيم احتمالات التفاعل على المواقع Ps و P واحتمالات التفاعل على السطح وهي معامل الالتحام S, معامل إعادة التركيب ومعامل التفاعل لمختلف الجذور (SiH3, SiH2, SiH , H), من أجل درجات حرارة مختلفة للمزيج الغازي المستعمل SiH4H2 وقد كانت نتائجنا متوافقة مع أعمال أخرى

Pour la déposition d’une couche mince de (a-Si: H) par le procédé chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD), nous avons proposé un calcul numérique en utilisant le langage fortran, la simulation de Monte Carlo et le potentiel (3-9). Nous avons calculé les probabilités de réactivité sur site Ps et P et les probabilités de réactivité à la surface, probabilité de collage S, de recombinaison  et de réactivité β pour les radicaux (SiH3, SiH2, SiH, et H) et pour différentes température de mélange gazeux (SiH4 / H2). Nos résultats sont en bonne accord avec d’autres travaux.

For the deposition of a thin films (a-Si: H) by the chemical vapor assisted by plasma (PECVD), we proposed a numerical calculation using the Fortran language, Monte Carlo simulation and the potential (3-9). We calculated site reaction probabilities Ps, P. We calculated also sticking probability S, recombination probability  and surface reaction reactivity  for the radicals (SiH3, SiH2, SiH, and H) at different temperatures of gas mixture SiH4H2 Our results are in good agreement with other works.