دراسة الخصائص الضوئية لبلورات (Si,Ge,SiC,GeC,SiC)

Abstract

Dans ce travail, nous avons 'étudié des propriétés optiques (coefficient d'absorption, l'indice de réfraction, réflectivité) et les structures électroniques des bandes des cristaux (Si, Ge, SiC, GeC, SiGe)pour leurs grande importance et large utilisions dans le domaine de l'électronique et de l'optoélectronique. Pour le calcul, nous avons utilisé une simulation numérique SIESTA et la théoriede la densitéfonctionnelle DFT en se servantde l’approximation gradient généralisé GGA et le pseudo potentiel. Les résultats obtenus sont prochesdes résultats théoriques et expérimentaux antérieurs

قمنا في ھذا العمل بدراسة الخصائص الضوئیة)معامل الامتصاص، قرینة الانكسار، الانعكاسیة(وبنیة عصابات الطاقةلبلورات(Si, Ge, SiC, GeC, SiGe)وذلك لما لھا من أھمیة بالغة واستعمال واسع في مجال الإلكترونیات وا والالكترونیات الضوئیة.وللحساب استعملنا المحاكاة العددیة وذلك عن طریق برنامجSIESTAونظریة الكثافة التابعیةDFTباستخدام تقریب التدرج المعممGGAوالكمونالزائف. النتائج المتحصل علیھاقریبة جدا مننتائجالدراساتالنظریة والتجریبیة السابقة

n this work, westudied the optical properties (absorption coefficient, refractive index, reflectivity) and electronic band structure of the crystals (Si, Ge, SiC, GeC, SiGe)fortheir great importance and widely use in the electronics and optoelectronicsfields. For the calculation we used a numerical simulation through SIESTA program and the density functional theory DFT,utilizing the generalized gradient approximation GGA and Pseudo potential. Our results are close to previous theoretical and experimental results