CRISTALLISATION DES COUCHES MINCES DE SILICIUM AMORPHE (a-Si) PAR LE LASER EXCIMÈRE KrF

Abstract

Le recuit par laser excimère KrF des couches minces de silicium amorphe (a-Si) est utilisé pour élaborer du silicium polycristallin en films minces. Les couches (a-Si) ont été déposées par la méthode LPCVD (Low pressure Chemical Vapor Deposition) sur du quartz amorphe et recouvertes par un film mince de SiO2. Les échantillons ainsi préparés ont été irradiés par le laser excimère KrF, de densité d’énergie égale à 0,67 J/cm2, pour différentes impulsions. L’étude de la microstructure et l’état de surface ont été réalisés par le microscope électronique à balayage et par la spectroscopie micro-Raman. Les observations montrent que les impulsions laser successives entraînent des transformations microstructurales.