Etude du semi-conducteur Germanium dopé à l’usage des composants optoélectroniques

Abstract

برزالجيرمانيوم مؤخرا كمرشح واعد لتعويض السيليسيوم في المكونات الإلكترونية المتقدمة وتطبيقاتها الضوئية. معرفة معالم انتشار المطعمات في هذا النصف ناقل تعد ضرورية لصناعة دارات إلكترونية منه عالية الأداء. هذه الدراسة حددت كيفية ارتباط نسبة المساهمات بدرجة الحرارة للانتشار المنفرد لكل من الفسفور P ، الأنتيموان Sb و الأرسونيك As عبر الفجوات الثنائية والثلاثية المشحونة سلبا في الجيرمانيوم مع طاقات التنشيط، للفسفور 3.09 eV، 2.4 eV على الترتيب و للأنتيموان 2.661 eV ، 2.570eV على الترتيب و2.703 eV، 2.068 eV على الترتيب بالنسبة للأرسونيك . في هذا العمل قمنا بنمذجة الانتشار وفق الآلية الفجوية والحل العددي لقانون فيك الثاني آخذين بعين الاعتبار ارتباط معامل الانتشار الفعال بنسبة المساهمات ، و محاكاة منحنيات انتشار الفسفور والأنتيموان والأرسونيك التجريبية في الجيرمانيوم.

Récemment le germanium a émergé comme un candidat prometteur pour le développement des dispositifs de haute performance et de leurs applications optoélectroniques. La connaissance des paramètres de diffusion des dopants dans le germanium est essentiel pour réaliser des dispositifs performants. Cette thèse étudie la relation des rapports des contributions de la diffusion de phosphore, l'antimoine et l'arsenic dans le germanium, avec la température, via les lacunes doublement et triplement chargés négativement avec des énergies d'activation 3.09 eV et 2.4 eV, respectivement pour le phosphore, 2.661 eV 2.570 eV, respectivement pour l'antimoine et 2.703 eV et 2.068 eV, respectivement pour l'arsenic. Dans ce travail, nous avons modélisé la diffusion des dopants étudiés dans le Ge par le mécanisme, lacunaire et résolu numériquement la deuxième loi de Fick, tenant en compte la dépendance du coefficient de diffusion effective avec le rapport des contributions. Enfin, nous avons simulé les profils de diffusion expérimentaux pour les dopants dans Ge.