نمذجة و محاكاة انتشار المعطيات في السلسيوم و الجرمانيوم أحاديي البلورة

Abstract

Le but de ce travail est de modéliser et simuler le phénomène de diffusion des dopants dans le silicium et le germanium monocristallins. Nous avons étudié la diffusion du bore ou du phosphore ou d’arsenic dans l’un ou dans les deux matériaux. Comme nous avons étudié la diffusion du bore dans le silicium uniformément dopé au préalable et d’arsenic dans le silicium dans le cas de formation des clusters. Notre étude de la diffusion du phosphore et du bore dans le silicium, par les paires formées par les auto-interstitiels et les dopants, a pu décrire le phénomène et ses résultats coïncident avec les résultats expérimentaux. Nos résultats de l’étude de la diffusion du phosphore et d’arsenic dans le germanium, par les paires formées par les lacunes et les dopants, sont très proches des résultats expérimentaux et ils ont montré que la diffusion dans ce cas est obtenue principalement par les lacunes qui possèdent une charge négative double. Enfin, nous avons constaté que le dopage au préalable et la formation des clusters affectent la vitesse de la diffusion