Etude de propriétés thermiques en phase gazeuse lors de la déposition dans les procédés LCVD

Abstract

Afin d’étudier la propriété thermique dans les procédés LCVD L’exemple d’application correspond à la déposition de composés de titane, de silicium, de carbone, ou autre. La déposition d’une couche mince par les matériaux à procédé par des LCVD, nous nous proposés un modèle pour le calcul des profils des diffusions des températures des milieux (à la surface de substrat) augment à l’état de gaz par la conduction en surface et par convection dans les gaz. Nous avons résolu l’équation du chaleur par le méthode différence finis et utilise l’algorithme de Gus-Seidel .Les températures sont proches résultats expérimentaux

To study the thermal property in processes LCVD the sample application is the deposition of titanium compounds, silicon, carbon, or other. The deposition of a thin layer materials in process by LCVD, we proposed a model for the calculation of the profiles broadcasts temperatures environments (to the substrate surface) to augment the state of the gas conduction convection surface and in the gas. We solved the equation of heat by the finite difference method and use the Gus-Seidel algorithm. Temperatures are close experimental results