المـساهـمة في دراسة أطـياف إصـدارات الــذرات الاصـطـناعـية للمر كب InAs/GaAs

Abstract

من أجل المساهمة في دراسة إصدارات الذرات الاصطناعية المركبة من InAs/GaAs، قمنا بدراسة شكل الطيف الناتج عن النقطة الكمية InAs، دراسة نظرية باستخدام وتنفيذ برنامج الفورترون، لغرض مقارنة الطيف التجريبي مع الطيف النظري الناتج عن المحاكاة، لذا تطلب العمل تحضير قاعدة معطيات الفيزياء الذرية لمركب النقطة الكمية زرنيخيد الانديوم InAs، وبعد مناقشة النتائج خَلُصْنَا إلى أن النقطة الكمية InAs للذرة الاصطناعية المركبة من InAs/GaAs تُعطي طيفاً طاقياً متقطعاً ومكمماً، كما أنها تتأثر بالحصر الكمي الخاضع لميكانيك الكم، فبزيادة الفرق الطاقوي بين مستويات شريط التكافؤ ومستويات شريط التوصيل تزداد أبعاد النقطة الكمية، لذا فإن أبعاد النقطة الكمية تتحكم في شكل الطيف الناتج عن إصدارات الذرات الاصطناعية.

In order to contribute in the study of Artificial Atoms composed of InAs/GaAs, we studied the form of the specter resulting of the quantum dot InAs theoretically using the Fortran software for the purpose of comparing the empirical specter with the simulated one. This work required the preparation of a data base of the atomic physics of the quantum dot compound Indium Arsenide InAs. After the discussion, we concluded that the quantum dot InAs for the Artificial Atom composed of inAs/GaAs give a discrete and quantized energy specter. It is also affected by the quantum of quantum mechanics. If the energy difference between equivalence levels and the conducting levels decrease, the dimensions of the quantum dot increase. Thus, the quantum dot dimensions control the shape of the emission specter of the Artificial Atoms