تحديد مميزات انتشار الأنتيموان في الجيرمانيوم

Abstract

حركيةحاملات الشحنة المرتفعة، قصر الفاصل الطاقوي للجيرمانيوم جدد الاهتمام بالجيرمانيوم لمواصلة التطور التاريخي للمكونات الالكترونية. للحصول على مكونات الكترونية أساسها الجيرمانيوم عالية الأداء، من الضروري فهم أنتشار المطعمات في هذا النصف ناقل. حاليا، إنتشار مطعمات النوع السالب في الجيرمانيوم على الغالب ينمذج بانتشارية تتناسب تربيعيا مع كثافة الالكترونات الحرة. في هذه المذكرة حددنا كيفية ارتباط عامل التناسب التربيعي لانتشارية الأنتيموان في الجيرمانيوم بدرجة الحرارة، من خلال محاكاة منحنيات الانتشار التجريبية الأنتيموان في الجيرمانيوم في مجال درجة حرارة محصور بين 920-600 درجة مئوية. محاكاة دقيقة تم تحقيقها في هذا المجال من درجة الحرارة أخذين بعين الاعتبار التناسب التربيعي بين انتشارية الأنتيموان وكثافة الالكترونات الحرة.

La mobilité intrinsèque élevée des porteurs, la faible bande interdite pour le germanium ont suscité un regain d'intérêt pour le germanium afin de poursuivre les progrès historiques des copasants électroniques. Pour obtenir des dispositifs électroniques efficaces à base de germanium, il est nécessaire de comprendre la diffusion du dopant dans ce semi-conducteur. Jusqu'à présent, la diffusion des dopants de type n dans le germanium au maximum est modélisée par une diffusivité proportionnelle au carré de la densité d'électrons libres (n). Cette étude détermine la dépendance en température du facteur de proportionnalité quadratique de la diffusivité de Sb avec la densité d'électrons libres, à travers des simulations de profils de diffusion de Sb expérimentaux dans la plage de température de 600 à 920 °C. Une simulation précise est réalisée dans cette plage de température, en tenant compte de la proportionnalité quadratique entre la diffusivité du Sb et la densité d'électrons libres