DÉTERMINATION EXPÉRIMENTALE DES PROBABILITÉS DE TRANSITION DU SILICIUM λ399 nm

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DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Belkacem FERHAT , Youssef AZZOUZ , Roland REDON , Marc RIPPERT	-
dc.date.accessioned	2013-12-19T15:25:12Z	-
dc.date.available	2013-12-19T15:25:12Z	-
dc.date.issued	2013-12-19	-
dc.identifier.issn	sam.	-
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/123456789/2932	-
dc.description	Séminaire National sur le Laser et ses Applications UKM Ouargla 16 et 17 Décembre 2009	en_US
dc.description.abstract	Un claquage de faisceau laser sur du silicium solide pur crée un plasma source de spectres d’émission. La température a varié de 14000 à 18000 K et la densité électronique de 5 1017 à 2.5 1018 cm-3. La technique spectrométrique et la méthode numérique de traitement des raies permettent d’enregistrer et de traiter des raies de très faible intensité. Les probabilités de transition du silicium une fois ionisé à λ 399 nm sont mesurées expérimentalement pour la première fois. Ces valeurs n’ont pas pu être comparées à d’autres valeurs expérimentales par absence totale de données publiées. Les valeurs théoriques sont elles-mêmes approximatives	en_US
dc.language.iso	fr	en_US
dc.subject	DES PROBABILITÉS	en_US
dc.subject	TRANSITION DU SILICIUM λ399 nm	en_US
dc.title	DÉTERMINATION EXPÉRIMENTALE DES PROBABILITÉS DE TRANSITION DU SILICIUM λ399 nm	en_US
dc.type	Article	en_US
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