أساسها الجيرمانيوم في شروط الإنتشار الذاتي واللاذاتي P-N دراسة العوامل المؤثرة على عمق الوصلة

Abstract

تلعب الموادالنصف ناقلة دورا أساسيافي التطور التكنولوجي الحاصل في مجال صناعةالمركبات الالكترونية والإلكتروضوئية لماتتمتع به من خصائص مميزة جعلتها أساس هذه الصناعة. في هذه المذكرة سلطنا الضوء على الجيرمانيوم باعتباره مادة نصف ناقلة واعدة وبديلة للسيليسيوم لمواصلة سيرورة التطور التكنولوجي الحاصل في هذا المجال. في هذا العمل درسنا تأثير كل من درجة الحرارة و الزمن والتركيز على السطح و نوع المطعمة المنتشرة على عمق الوصلة P-N أساسها الجيرمانيوم في شروط الانتشار الذاتي واللاذاتي. دراستنا بينت أن عمق الوصلة يتأثر بدرجة الحرارة والزمن والتركيز على السطح ونوع المطعمة المنتشرة حيث يزداد بزيادة كل من هذه العوامل. لاحظنا أن نوع المطعمة يؤثر على عمق الوصلة.

matériaux semi-conducteurs jouent un rôle tré important dans le développement technologique dans le domaine électroniques et optoélectroniques en raison de leurs caractéristiques distinctives qui en ont fait la base de cette industrie. Dans cette note, nous mettons en avant le germanium comme un semi-conducteur prometteur et une alternative au silicium pour poursuivre le processus de développement technologique dans ce domaine. Dans ce travail, nous étudions l'effet de la température, du temps, de la concentration en surface et du type de dopant diffus sur la profondeur de la jonction P-N à base de germanium dans les conditions intrinsèque et extrinsèque diffusion. Notre étude a montré que la profondeur de la jonction P-N est affectée par la température, le temps, la concentration en surface et le type de dopant