LE LASER DANS LES DÉPOSITIONS DES COUCHES MINCES PAR LES PROCÉDÉS LCVD

Abstract

La déposition des couches minces est actuellement très utilisée dans plusieurs domaines industriels comme dans la fabrication des cellules solaires et des écrans plats. Ces couches minces sont élaborées par des procédés PVD ou CVD. Les procédés LCVD sont des procédés CVD utilisant des sources LASER. Le LASER joue un rôle très important dans ces dépositions ; il peut chauffer localement le substrat. Divers lasers à gaz, tels que les lasers d’argon et les lasers de CO2, sont souvent utilisés en raison de leurs densités de puissance élevées. Les sources LASER peuvent exciter les atomes et les molécules et activer la dissociation et la décomposition du mélange gazeux introduit dans les réacteurs LCVD. Les réactions photochimiques sont beaucoup plus sélectives que celles dans le cas de dépositions par procédés CVD assisté par plasmas (PECVD) ou par procédés CVD assisté par photons (Photo-CVD). Dans les procédés LCVD beaucoup de phénomènes et de mécanismes peuvent interférer. Un mélange gazeux (SiH4 + H2) introduit dans un réacteur LCVD, pour la déposition de silicium hydrogéné amorphe (a-Si:H), peut montrer le rôle du LASER et son effet sur le taux de déposition.