Influence de la température de recuit sur les caractéristiques électriques d’une diode Schottky GaNAs avec 0,2% d’azote dilué

Abstract

L’incorporation de quelques pourcents d’Azote (N) dans du GaAs réduit significativement sa largeur de bande interdite. Cette réduction est utile dans l’engineering des lasers à semi-conducteurs ayant une longueur d’onde bien déterminée, dans l’engineering des cellules solaires pour augmenter leur rendement et influe sur le fonctionnement des diodes Schottky à très haute fréquence. Cependant, cette incorporation d’azote est une opération délicate qui introduit des défauts dans la structure et par conséquent peut réduire à néant ces avantages. Dans cette communication, nous examinons les caractéristiques électriques expérimentales I-V et C-V des diodes Schottky à base de GaNAs avec 0,2% d’azote dilué et ayant subies des recuits à 500°C et 700°C. Les résultats obtenus montrent l’influence de la concentration des états d’interface sur le mécanisme de transport de la diode et l’influence de la température de recuit.