Simulation d'un 'un laser à puit quantique à base de InGaAsP/InP

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DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Benathmane, Khaled	-
dc.contributor.author	Elaggoun, Mohammed	-
dc.contributor.author	Bechoua, Nacer Eddine	-
dc.date.accessioned	2024-05-13T09:25:36Z	-
dc.date.available	2024-05-13T09:25:36Z	-
dc.date.issued	2023	-
dc.identifier.uri	https://dspace.univ-ouargla.dz/jspui/handle/123456789/35918	-
dc.description.abstract	L'objectif de cette étude est d'explorer les lasers basés sur des hétérojonctions de semi-conducteurs III-V. L'étude porte sur un dispositif à hétérojonction de semi-conducteurs III-V (InGaAsP-InP) dans le cadre des hypothèses simplificatrices, se limitant au régime stationnaire de la cavité laser. La simulation réalisée à l'aide du logiciel de programmation MAPLE 14 a permis de clarifier l'influence de certains paramètres du laser étudié, tels que le facteur d'émission spontanée β, la densité optique des photons et la puissance.	en_US
dc.language.iso	fr	en_US
dc.publisher	UNIVERSITY KASDI MERBAH OUARGLA	en_US
dc.subject	Laser	en_US
dc.subject	hétérojonction	en_US
dc.subject	émission stimulé	en_US
dc.subject	émission spontanée	en_US
dc.subject	facteur d'émission spontanée	en_US
dc.title	Simulation d'un 'un laser à puit quantique à base de InGaAsP/InP	en_US
dc.type	Thesis	en_US
Appears in Collections:	Département d'Electronique et des Télécommunications - Master

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