Contribution à l’étude par la simulation numérique de Dynamique Moléculaire de la croissance des couches minces par procédé PECVD

Abstract

Dans ce mémoire nous nous intéressons à l’étude de p robabilités associées a u x divers événements de l’interaction plasmas - surface lors de croissance de couche mince a - Si:H. par procédé PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). Le plasma utilisé est le mélange silane - hydrogène (SiH 4 /H 2 ), dans un réacteur RF de 13,56 MHz. Les électrons et les radicaux SiH x ( x =1 ,2,3 ) et H existants dans le volume réagissent avec la surface d’un substrat en silicium hydrogéné selon l' énergie d'activation . Les collision s radicaux - surface effectuent l'adsorption physique , chimique , désorption et l es réactions chimiques lors de la déposition . Nous modélisons par simulation numérique de dynamique moléculaire ( DM ) en utilisant le potentiel de Lennard – Jones (3 - 9) pour le calcul d es valeurs de réactivité β k , des coefficients de collage s k et de recombinaisons γ k de différents radicaux . Deux autre s propriétés , le taux d'occupation à la surfa ce en (Si - ) et (Si - H) et le taux de déposition sont calculé s . Nous compar ons nos résultats avec les résultats expérimentaux et de la simulation par la DM de Valipa et ses collaborateurs et d'autres auteurs