Caractérisation par ellipsométrie spectroscopique (SE) des films minces amorphes de SiOxNy : H

Abstract

Les films minces à base de silicium SiOxNy:H, ont élaborés par la technique de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma PECVD. Ces films ont été recuits à des différentes températures de 200 à 1000°C étudiés par la technique ellipsometrie. Cette technique nous a permis d’obtenir les propriétés optiques de ces films, on a choisi un modèle multicouche, et on l’a traité en utilisant deux modèles théoriques (le modèle de Maxwell Garnett et le modèle de Bruggeman). La validation de ces modèles est faite par comparaison entre les spectres calculés et ceux relevés par ellipsométrie, en changeant à chaque fois la température de recuit, qui nous a permis d’accéder à plusieurs propriétés optique, telle que: l’indice de réfraction de ces films ainsi que leurs fractions volumique, épaisseur et aussi les stœchiométrie des films.