DÉTERMINATION EXPÉRIMENTALE DES PROBABILITÉS DE TRANSITION DU SILICIUM λ399 nm

Abstract

Un claquage de faisceau laser sur du silicium solide pur crée un plasma source de spectres d’émission. La température a varié de 14000 à 18000 K et la densité électronique de 5 1017 à 2.5 1018 cm-3. La technique spectrométrique et la méthode numérique de traitement des raies permettent d’enregistrer et de traiter des raies de très faible intensité. Les probabilités de transition du silicium une fois ionisé à λ 399 nm sont mesurées expérimentalement pour la première fois. Ces valeurs n’ont pas pu être comparées à d’autres valeurs expérimentales par absence totale de données publiées. Les valeurs théoriques sont elles-mêmes approximatives