Etude des propriétés physiques du matériau initialement amorphe Pd81Ge19 : Résistivité et pouvoir thermoélectrique

Abstract

L’alliage Pd81Ge19 est un amorphe à l’état solide. Pour étudier les phénomènes de transport électronique de cet alliage, nous rendons compte de la mesure simultanée de la résistivité et des coefficients de Seebeck dans des échantillons de rubans Pd81Ge19 préparés par le procédé de la technique de filage en fusion, et ayant une dimension typique de 40,0 mm x 1,75 mm x 0,028 mm. L’expérience a été réalisée en utilisant un nouveau dispositif entièrement automatisé, dans une large gamme de températures (température ambiante jusqu’à 700 °C). Des modifications structurelles des temps de cristallisation et des traitements thermiques sur plusieurs échantillons de la même composition ont été suivies en fonction de la température. Le coefficient de Seebeck, signalé pour la première fois dans ces échantillons, varie approximativement entre -2 et -21 mV / K dans la plage de température de 25-700 de °C, tandis que la résistivité électrique varie approximativement entre 35 et 120 μΩ.cm en accord avec la littérature. La diffraction de rayons X (DRX) complémentaire, l’analyse calorimétrique différentielle (DSC), le microscope électronique à balayage (MEB) et des expériences de microscopie optique ont également été réalisées et confirment les transitions de phase observées par les techniques mentionnées dans cette thèse. We report on the simultaneous measurement of resistivity and Seebeck coefficients in samples of Pd81Ge19ribbonsprepared by the melt spinning technique method and having a typical dimension of 40.0 mm x 1.75 mm x 0.028 mm. The investigation was performed using a new completely automated device in a large temperature range (from room temperature to 700°C). Structural changes, crystallization times and heat treatments on several samples of the same composition were followed as a function of temperature. Seebeck coefficients, reported for the first time in these samples, varied roughly between -2 and -21 μV/K in the 25-700°C temperature range, while the electrical resistivity varied roughly between 35 and 120 μΩ.cm in agreement with the literature. Complementary XR, DSC, SEM and Light microscope experiments were also carried out and confirm the phase transitions observed by the above mentioned techniques.