Contribution à l’étude des propriétés structurales élastiques, électroniques de GaAs par la méthode DFT

Abstract

ce travail s'intéresse à l'étude des propriété structurales .nous avons calculé les propriété électroniques ,optique et manitique pour notre composant GaAs en utilisant la méthode full potentiel linear muffin –tin orbitale (FP-LMTO) cette méthode ce base sur la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT) . l'énergie d'échange et de corrélation est décrite par l'approximation du griedient généralisé GGA les propriété calculées sont en bon accord avec les données expérimentales théoriques disponible . selon les résultats disponible nous constatons que notre matériaux GaAs est un semi-conducteur

Our thesis is interested in the study of structural properties we calculated the optical and manitic electronic properties for our GaAs component using the full potential linear muffin-tin orbital (FP-LMTO) method this method is based on the theory of density fictional(DFT). The exchange and correlation energy is described by generalized grid approximation GGA, the calculated properties are in good agreement with the available experimental and theoretical data according to the available results we find our GaAs material is a semi conductor

تهتم أطروحتنا بدراسة الخصائص الهيكلية .لقد حسبنا الخواص الالكترونية الضوئية و المانيتيك لمكون المدروس الخاص بنا باستخدام طريقة المدار الخطي الكامل للمافن والقصدير وتعتمد هذه الطريقة على نظرية الكثافة الوظيفية . يتم وصف طاقة التبادل والارتباط بواسطة تقريب الشبكة المعمم وتتوافق الخصائص المحسوبة جيدا مع البيانات التجريبية والنظرية المتاحة وفقا للنتائج المتاحة وجدنا أن مادة لدينا هي أشباه مواصلات