دراسة نظرية لبنية السيليسيوم بلورية وعنقودية Sin "n= 2,3,4"

Abstract

الهدف من عملنا هو استخدام المحاكاة العددية- وهي العملية التي تكمل التجربة- لحساب الخصائص البنيوية والالكترونية للسيليسيوم وعناقيده 〖Si〗_n من اجل n=1 إلى n=4لما لها من تطبيق واستخدام واسع النطاق في مجال الكترونيات والليزر. يتم تنفيذ المحاكاة ببرنامج WIEN2k باستخدام طريقة LAPW التي ترتكز على تقريب الكمون الكامل (FP) كأساس لحل معادلات كوهان-شام ضمن نظرية الكثافة التابعية DFT. معتمدين تقريب التدرج المعمم GGA وكذلك تقريب الكثافة المحلية LDA. والنتائج المتحصل عليها متوافقة مع النتائج التجريبية والنظرية لحد ما.

The aim of our work is to use numerical simulation, a method which complements the experiment to calculate the structural and electronic properties of silicon and clusters 〖Si〗_n for n = 1 to n = 4 due to their application and use of the wide strip in the field of electronics and laser is performed using the simulation program using WIEN2k LAPW using the method that is based on the approximation of the full latency (FP) as a basis for solving equations in Cohan-Sham density Functional theory DFT. Based on the generalized gradient approximation GGA and reconciliation LDA. The results obtained are consistent with the experimental and theoretical results to some extent.