Conditions de Mise en Marche du pompage et du refroidissement dans un Pulvérisateur Cathodique

Abstract

Les procédés CVD et les procédés PVD sont utilisés dans de nombreux domaines industriels pour la déposition de couches minces. Nous avons présenté la description d'un dispositif de pulvérisation cathodique magnétron permettant la déposition des couches minces. Nous avons proposé la réalisation de deux protocoles expérimentaux. Le premier est pour le PECVD pour un gaz SiH4/H2 ; le deuxième est pour le PVD pour un gaz d'argon. Nous avons présenté les conditions pour obtenir le vide primaire et le vide secondaire nécessaires pour le dépôt d'une couche mince de haute pureté. La loi des gaz parfaits nous a permis de calculer les quantités de gaz pour les conditions de pression. Le temps de réalisation des opérations de vide est estimé. La masse d'eau correspondante au processus de refroidissement est calculé

CVD and PVD processes are used in several industrial fields to deposition of thin layers. We have presented the description of a magnetron sputtering device to deposition of thin layers. We have proposed two experimental protocols; the first is a PECVD of SiH4 / H2 gas and the second is by PVD of an argon gas. We presented the conditions for obtaining the primary and high vacuum in order to require for the deposition of a thin layer of high purity. The ideal gas law tied it possible to calculate the quantities of gas to the pressure conditions. The vacuum operations of completion time are estimated. The mass of water corresponding to the cooling process is calculated