Etude de propriétés thermiques en phase gazeuse lors de la déposition d'une couche mince par les procédés HWCVD

Abstract

من أجل توضع طبقة رقيقة من a–Si : H بواسطة التوضع الكيميائي المدعم بالسلك الساخنHWCVD والذي تستعمل في الخلايا الشمسية وعدة تطبيقات أخرى ,اقترحنا حساب عددي بلغة الفورتون يمكننا من ايجاد منحنيات انتشار درجات الحرارة في الغاز في كل موضع وفي كل لحظة. تنتقل الحرارة بالحمل في الغاز.من أجل ذلك استعملنا معادلة انحفاظ الطاقة, وقد قمنا بحل معادلات الانتشار بالاستناد على الطريقة الرياضية للتفاضل المتناهي وخوارزمية غوص -صيدال.درجات الحرارة ملخصة في النتائج العددية.

Les couches minces a–Si : H sont utilisés dans les cellules solaires et autres applications. Ces couches peuvent être déposés par les procédés HWCVD. Nous avons proposé un calcul numérique en langage FORTRAN pour obtenir les profils de distribution de la température en fonction des positions et du temps dans ces procédés. La chaleur est transportée par convection dans le gaz. Nous avons résolu l' équation de diffusion de la chaleur par la méthode des différences finies et l’algorithme itérative de Gauss- Seidel. Les résultats calculés, pour différentes conditions, sont présentés et discutés dans ce mémoire .