SIMULATION PAR LA METHODE MONTE CARLO DE pD1 PARAMÈTRES DE DEPOSITION DE a-Si:H PAR PROCEDE PECVD

Abstract

Ce travail présente la simulation par la méthode Monte Carlo (MC) de la déposition d'une couche mince a-Si:H effectuée par procédé PECVD sur un substrat de silicium. On s'intéresse particulièrement aux phénomènes physico-chimiques qui gouvernent le procédé PECVD prés du substrat. La simulation est basée sur les collisions binaires entre les différentes espèces (molécules, radicaux, électrons, etc.) existant dans le plasma généré par radiofréquence (RF). Le mélange gazeux initial introduit est 80% de SiH4 et 22% de H2 ; la simulation utilise aussi le modèle fluide et les réactions chimiques. Nous avons calculé la consommation de SiH4, la production de H2 et d'autres résultats.