اخلصائص االلكرتونية والضوئية ألكسيد النحاس

Abstract

قمنا في هذا العمل بدراسة نظرية للخصائص البنيوية والالكترونية والضوئية لأكسيدي النحاس CuO و S-CuO ، الهدف هو التحقق من الخصائص الالكترونية عصابات الطاقة، كثافة الحالات ...باستعمال برنامج Siesta، وذلك في إطار نظرية الكثافة .DFT النتائج المتحصل عليها كانت قريبة من النتائج التجريبية والنظرية المتوفر حول الأكسيدين حيث وجدنا في عملنا فجوة أكسيد النحاس النقيEg=0.62 eV والمطعم Eg=0eV بينما أظهرت الخصائص الضوئية ميزات ذات أفاق جيدة الذي يتمتع به أكسيد النحاس المطعم بالكبريت نظير الاكسيد النقي حيث يكون واعد في الاستخدامات الالكتروضوئية في الميادين"تحت الحمراء وفوق البنفسجية، حيث أن عملية التشويب أدت إلى التحسين من هذه الخصائص

Dans ce travail, nous avons étudié théoriquement les propriétés structurales, électroniques et optiques de l’oxyde de cuivre (CuO) dopé avec du chrbone. L’objectif est d’examiner les propriétés électroniques des matériaux à l’état d’énergie, en utilsant le programme Siesta, dans le cadre de la théoie de la fonctionnelle de la densité (DFT) Les résultats obtenus sont proches des résultats expérimentaux et des prévisions théoriques concernant l’oxyde de cuivre. Nous avons trouvé que, dans la cas de CuO pur, la bande interdite est Eg=0.62eV, tandis que pour le CuO dopé au carbone, elle devient Eg=0Ev Les propriétés optiques ont montré des performances prometteuses pour le CuO dopé au carbone, qui dépasse le CuO Pur, ce qui en fait un bon candidat pour les applications optoélectroniques et dans la gamme du rouge au proche infrarouge, ce qui démontre que le dopage au carbone améliore bien ces propriétés

in this work, we conducted a theoretical study of the structural, electronic, and optical properties of copper oxide (CuO) doped with carbon. The aim is to investigate the electronic properties of energy band structures using the Siesta program within the framework of Density Functional Theory (DFT) The obtained results were close to experimental data and theoretical predictions for copper oxide. We found that in the case of pure CuO, the band gap is Eg=0.62eV, while in the case of carbon-doped CuO, the band gap becomes Eg=0 eV The optical properties showed promising features for carbon-doped CuO. This makes it a good candidate for optoelectronic applications, particularly in the red and near-infrared range, indicating that carbon doping effectively oimproves these properties.