Élaboration électrochimique des hétérojonctions p-n à base d'oxydes métalliques

Abstract

L’objectif principal de ce travail est l’élaboration de couches minces à base d’oxydes métalliques par une méthode simple et facile, en optimisant les paramètres de dépôt. L’étude vise en particulier à déterminer les conditions optimales de l’élaboration d’une jonction hétérostructure p-Cu2O/n-ZnO. Des jonctions p–n ont été préparées par électrodéposition successive d’une couche de ZnO de type n sur un substrat conducteur ITO, suivie par le dépôt de Cu2O de type p avec des épaisseurs variant de 500 à 1500 nm. Les hétérojonctions obtenues ont été caractérisées à l’aide de différentes techniques structurales, optiques, électriques et morphologiques. Parmi les différentes echantillons étudiées, la jonction préparée avec une épaisseur de 1500 nm de Cu2O a présenté les meilleures resultats.

The main objective of this work is the fabrication of metal oxides thin films using a simple and easy method, by optimizing the deposition parameters. The study specifically aims to determine the optimal conditions for the development of a p-Cu2O/n-ZnO heterostructure junction. P–n junctions were synthesized by successive electrodeposition of an n-type ZnO layer on a conductive ITO substrate, followed by the deposition of p-type Cu2O with thicknesses ranging from 500 to 1500 nm. The resulting heterojunctions were characterized using various structural, optical, electrical, and morphological techniques. Among the various samples studied, the junction prepared with a thickness of 1500 nm of Cu₂O exhibited the best results.